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硅钼棒硅钼棒电热元件产品广泛应用于冶金、炼钢、玻璃、陶瓷、耐火材料、晶体、电子元器件、半导体材料的研究、生产制造等领域，特别是对于高性能精密陶瓷、高等级人工晶体、精密结构金属陶瓷、玻璃纤维、光导纤维及高级合金钢的生产。
1200℃大型气氛烧结炉KJ-A1200-64LZ系列大型气氛烧结炉主要应用于院校实验室、工矿企业实验室，供化学分析、物理测定以及金属、陶瓷等的烧结和溶解，小型钢件等加热、焙烧、热处理用。
1600℃三温区管式高温炉KJ-T1600-L6012LB3三温区真空气氛管式炉可以在热梯度下制备功能材料，该设备主要应用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验和小批量生产之用。用于电子陶瓷产品的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积（CVD）工艺等。
RTP快速退火炉该定制RTP快速退火炉采用红外灯管加热，最快升温速度为 50°C/秒，是CVD法生长大尺寸二维石墨烯的常用设备，专为半导体基片和太阳能电池或其他样品（尺寸可达3"）退火而设计。
带打印功能箱式高温炉主要应用于院校实验室、工矿企业实验室，供化学分析、物理测定以及金属、陶瓷等的烧结和溶解，应用于电子元件、粉末冶金、磁性材料等产品的排胶、预烧和烧成，也可用于其它材料的热处理工艺等。
高真空PECVD设备广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。
4路浮子流量计可用于搭建CVD系统，也可为样品退火提供所需的气氛环境。
滑道式PECVD系统滑道式PECVD系统由PT-1200T管式炉加热系统、真空系统、质量流量计供气系统、等离子射频电源系统组成。广泛应用于沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）等。
1400℃五温区管式炉 本设备是专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业在气氛及真空状态下对金属，非金属及其它化合物进行真空烧结、气氛保护烧结、气氛烧结、真空退火﹑物质成分测量分析而研制的专用理想设备。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
